三星被裁定侵犯韓國(guó)一大學(xué)專利案例

據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)德克薩斯州一家聯(lián)邦地方法院的陪審團(tuán)周五裁定，三星電子侵犯韓國(guó)一家大學(xué)的專利，需向后者賠償4億美元。

三星電子侵犯韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院的專利與“FinFet”（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）相關(guān)，它是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性，這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院的專利部門KAIST IP在訴訟中指出，三星電子最初并不看好FinFet技術(shù)研究，認(rèn)為它只是一種時(shí)尚。但是在三星電子的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾開始授權(quán)這項(xiàng)專利并開發(fā)自己的產(chǎn)品后，這一切都發(fā)生了變化。2011年，英特爾推出商業(yè)化的FinFET，并把它使用在22納米節(jié)點(diǎn)的工藝中。三星電子在2015年率先把FinFET技術(shù)應(yīng)用于10納米制程。

作為當(dāng)前全球最大的芯片制造商，三星電子向陪審團(tuán)表示，該公司與韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院共同合作開發(fā)FinFet技術(shù)，否認(rèn)侵犯了該技術(shù)專利。三星電子還對(duì)專利的有效性提出了質(zhì)疑。

陪審團(tuán)在經(jīng)過(guò)審理后裁定，三星電子的侵權(quán)行為屬于“故意”或有意為之，這意味著法官可以將損害賠償額提高到陪審團(tuán)設(shè)定的三倍。

這起訴訟案標(biāo)志著韓國(guó)頂尖科研機(jī)構(gòu)與對(duì)該國(guó)經(jīng)濟(jì)至關(guān)重要的公司之間的沖突。

截至目前，雙方的辯護(hù)律師均拒絕對(duì)裁定發(fā)表評(píng)論。

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